• Utilizând noile chipset-uri RF, Samsung reduce dimensiunea, greutatea și nivelul de consum al stației sale de bază 5G cu aproximativ 25% – menținându-și poziția de lider în industrie
• Samsung a livrat peste 36.000 de stații de bază 5G în februarie 

București, 22 februarie 2019 – Samsung Electronics a anunțat astăzi că a finalizat cu succes dezvoltarea circuitelor integrate de radiofrecvență mmWave (RFIC) de ultima generatie și ASIC-urilor DIGITALE/ANALOGICE, dedicat benzilor de 28GHz și 39GHz.

Noile circuitele Samsung RFIC și DAFE ASIC (Digital/Analog Front End – Application Specific Integrated Circuit), care sunt componentele principale din chipset-urile 5G, reduc dimensiunea cu 25%, dar și greutatea și consumul de energie a stațiilor de bază 5G în comparație cu iterațiile anterioare. Stațiile de bază 5G care utilizează aceste chipset-uri noi sunt mai eficiente când vine vorba de operare și implementare.

„Progresele noastre în cercetarea și dezvoltarea 5G au fost principalele forțe care au stat în spatele serviciilor comerciale 5G de succes din SUA și Coreea în 2018, cu peste 36.000 de stații de bază 5G livrate. În contexul celei de-a 4-a revoluții industriale, Samsung va continua să accelereze comercializarea 5G, aducându-și impactul asupra industriilor globale, dar și a vieții în general, oferind latență scăzută, viteză extrem de mare și conectivitate masivă”, a afirmat Paul Kyungwhoon Cheun, vicepreședinte executiv și șef al Networks Business, Samsung Electronics.

Pentru a atinge viteze extrem de rapide în transferul de date, stațiile de bază 5G utilizează aproape o mie de elemente de antenă și mai multe circuite RFIC pentru a utiliza spectrul mmWave. Adoptarea RFIC joacă un rol crucial în reducerea dimensiunii și a consumului de energie al stațiilor de bază. Noile RFIC-uri Samsung folosesc tehnologia semiconductori de ultimă generație CMOS 28nm si funcționează cu lărgimi de banda de maxim 1,4GHz, comparativ cu 800MHz pentru RFIC-urile anterioare. Dimensiunea RFIC este redusă cu 36%, iar performanța generală este îmbunătățită prin scăderea nivelului de zgomot și îmbunătățirea caracteristicilor de liniaritate ale amplificatorului de putere RF.

Samsung a dezvoltat soluții RFIC pentru 28GHz și 39GHz și intenționează să comercializeze si RFIC-uri pentru 24GHz și 47GHz în cursul acestui an, permițând extinderi suplimentare pe piețe care vor utiliza aceste benzi de frecvență mai înaltă.

Samsung a dezvoltat, de asemenea, propriul DAFE ca un circuit ASIC, cu un consum redus de energie și cu dimensiuni reduse. DAFE este esențial pentru telecomunicațiile digitale wireless, deoarece oferă conversii analog-digital și invers. DAFE cu tehnologie 5G gestionează lărgimile de bandă mari care au sute de MHz, astfel că dezvoltarea unui circuit ASIC permite reducerea dimensiunilor și a consumului de energie al stațiilor de bază 5G. Fără a investi în circuitele ASIC, DAFE pe cont propriu ar fi prea mare și nu ar avea putere suficientă pentru a satisface nevoile operatorilor.

„Samsung își consolidează poziția de lider în ceea ce privește rețeaua 5G datorită soluțiilor sale inovatoare, inclusiv circuitele DAFE ASIC, cât și RFIC cu putere redusă, punând bazele unei noi erei de transformare digitală. Suntem încântați să anunțăm finalizarea dezvoltarii acestor noi chipset-uri, care vor juca un rol vital în avansul tehnologiei la urmatorul nivel”, a declarat Jaeho Jeon, vicepreședinte executiv și șef al diviziei R&D.